本轮资金将主要用于公司工厂产能的提升
创业邦获悉，近日，高性能SiC（碳化硅）模块厂家利普思半导体完成过亿元人民币Pre-B轮融资，由和高资本领投，上海瀛嘉汇及老股东联新资本跟投。本轮资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备。
无锡利普思半导体有限公司成立于2019年11月，公司总部位于中国无锡，并在日本设有研发中心。团队汇集了海内外的专业人才，包括晶圆工艺及器件设计、模块封装设计、产品应用、市场推广和产品运营等方面。
利普思半导体致力于碳化硅等功率半导体的研发、生产与销售，提供完整的模块应用解决方案，满足高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。
利普思半导体主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块，产品应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域。
2022年利普思半导体位于无锡和日本的两个车规级SiC模块封装测试产线均已正式投产，将在2023年逐步展开大批量生产交付。今年6月份，公司位于日本的工厂产能将达到30万只/年，而无锡工厂在覆盖SiC模块生产和测试的同时，也兼顾车规级IGBT模块，产能将达到90万只/年。
2023年，利普思半导体将全面扩充乘用车、商用车、氢燃料电池、充电桩、光伏/储能、特高压等各大产品线。不仅如此，公司还计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产，以更好地满足未来SiC模块更大的市场需求。
和高资本创始合伙人何宇华说：SiC作为新兴的第三代半导体材料，可助力功率模块突破传统硅基材料的性能瓶颈，广泛应用于大功率的新能源场景，是不可多得的高景气高成长赛道。利普思具备市场稀缺的SiC模块正向开发能力，通过独有的设计思路和封装工艺，极大地发挥SiC的材料特性，打造出国际化水平的高性能SiC模块。我们非常信任利普思中日联合研发团队，他们凝聚了三菱、东芝，安森美、采埃孚等顶尖国际厂商的研发实力和服务经验，长期与SiC上游芯片原厂和下游新能源头部企业密切合作，团队的创新力、凝聚力、持续的技术和产业资源积累，都是他们把握SiC模块市场爆发增长的关键实力。
联新资本执行董事史君说：SiC产业已迎来高速发展期。利普思的核心团队拥有中日两国大厂背景，在功率半导体领域有数十年实战经验，真正掌握材料、工艺、设计、验证等正向开发体系，这在国内非常稀缺。公司在中日两地产线已实现量产，SiC模组产品实现电动车主驱、充电桩、光伏等多个场景的全覆盖，业绩发展迅速。联新期待与利普思携手相伴，共同为SiC产业链的发展贡献一份力量。