摘要

宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(nnnt)可用于构建低功耗仿生人工电路。然而，文献大多采用MOS的阳离子比例用于nnnt，没有详细的原因。在这项研究中，我们首次专注于系统地调整铟氧化锌(InZnO)基nnts的阳离子比例，该nnts是通过低成本的静电纺丝技术结合简单的纳米纤维转移工艺制备的。这些基于双阳离子InZnO纳米纤维的电驱动nnts可以大大简化实验程序。在InxZn1−xO的阳离子比(x = 0.6, 0.7, 0.8, 0.9)中，我们发现基于In0.7Zn0.3O的NFNTs表现出最低的兴奋性突触后电流，并且为低功耗操作和突触功能模拟提供了电优势。MOS纳米纤维组成的合理调整为高性能低功耗nnnt打开了大门。

支持信息

比我体内阳离子比例的最终调整半氧化Tal用于低功耗神经形态晶体管的电感纳米纤维

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